従来比約2倍の感度および低ノイズで高画質を実現した、裏面照射型CMOSイメージセンサーを新開発。

従来のCMOSイメージセンサーの画素構造（表面照射型）とは異なり、シリコン基板の裏面側から光を照射することで、約2倍の感度や低ノイズなどの撮像特性を大幅に向上させた裏面照射型CMOSイメージセンサー（画素サイズ1.75um角、有効画素数500万画素、60フレーム/秒）の試作開発に成功。
同じ画素サイズの従来型画素構造のCMOSイメージセンサーに比べ、SN比で＋8dB（感度＋6dB、ノイズ－2dB）を実現。